三星HBM3E内存通过英伟达认证，加速AI工作负载部署 加速数据传输速率高达9.6Gbps

三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的存通认证测试，单颗容量达36GB，过英工作相比上一代HBM3能效提升约20%。伟达目前三星已开始向英伟达批量供货，认证显著降低延迟。加速数据传输速率高达9.6Gbps，负载HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行，部署此举将打破SK海力士在HBM市场的存通垄断格局，将用于下一代AI加速器的过英工作关键内存栈。通过优化热管理工艺和先进的伟达硅通孔技术，认证 来源：三星官方新闻 业内分析认为，加速为全球AI芯片供应链提供更多选择。负载三星表示，部署该产品采用12层堆叠设计，存通预计下半年搭载于H200及后续GPU中。